Servicio de compra de Mosfet para circuitos de conmutación

La principal ventaja de un MOSFET es que casi no requiere corriente de entrada para controlar la corriente de carga, en comparación con los transistores bipolares (transistores de unión bipolar/BJT).En un MOSFET de modo mejorado, el voltaje aplicado a la terminal de puerta aumenta la conductividad del dispositivo.En los transistores de modo de agotamiento, el voltaje aplicado en la puerta reduce la conductividad.[2]

El "metal" en el nombre MOSFET a veces es un nombre inapropiado, porque el material de la puerta puede ser una capa de polisilicio (silicio policristalino).De manera similar, "óxido" en el nombre también puede ser un nombre inapropiado, ya que se utilizan diferentes materiales dieléctricos con el objetivo de obtener canales fuertes con voltajes aplicados más pequeños.

El MOSFET es, con mucho, el transistor más común en los circuitos digitales, ya que se pueden incluir miles de millones en un chip de memoria o microprocesador.Dado que los MOSFET se pueden fabricar con semiconductores de tipo p o tipo n, se pueden usar pares complementarios de transistores MOS para hacer circuitos de conmutación con un consumo de energía muy bajo, en forma de lógica CMOS.

El principio básico de este tipo de transistor fue patentado por primera vez por Julius Edgar Lilienfeld en 1925.[1]
La estructura que se asemeja al transistor MOS fue propuesta por los científicos de Bell William Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain, durante su investigación que condujo al descubrimiento del efecto del transistor.La estructura no mostró los efectos previstos, debido al problema del estado de la superficie: trampas en la superficie del semiconductor que mantienen inmóviles a los electrones.En 1955, Carl Frosch y L. Derick hicieron crecer accidentalmente una capa de dióxido de silicio sobre la oblea de silicio.Investigaciones posteriores mostraron que el dióxido de silicio podría evitar que los dopantes se difundan en la oblea de silicio.Sobre la base de este trabajo, Mohamed M. Atalla demostró que el dióxido de silicio es muy eficaz para resolver el problema de una clase importante de estados superficiales.
Después de esto, Atalla y Dawon Kahng demostraron un dispositivo que tenía la estructura de un transistor MOS moderno.Los principios detrás del dispositivo eran los mismos que probaron Bardeen, Shockley y Brattain en su intento fallido de construir un dispositivo de efecto de campo de superficie.
El dispositivo era unas 100 veces más lento que los transistores bipolares contemporáneos e inicialmente se consideró inferior.No obstante, Kahng señaló varias ventajas del dispositivo, en particular la facilidad de fabricación y su aplicación en circuitos integrados.[3]